耗散腔中具偶极-偶极相互作用的两个V型原子的纠缠动力学
量子物理
2023-07-19 v2
摘要
在这项工作中，我们研究了一个耗散单模腔中两个具有偶极-偶极相互作用的V型原子与外部环境耦合的系统。根据Fano定理引入一组新的产生和湮灭算符对耗散腔的哈密顿量对角化后，通过求解含时薛定谔方程得到该模型的解析解。我们还详细讨论了腔-环境耦合、自发产生干涉(SGI)参数以及两原子间偶极-偶极相互作用在不同初态下对纠缠动力学的影响。结果表明，SGI参数在不同初态下对纠缠动力学有不同影响。即，SGI参数会增大初始最大纠缠态的衰减率，并减小初始部分纠缠态的衰减率。对于初始直积态，SGI参数越大，产生的纠缠越多。在弱腔-环境耦合下纠缠单调减小，而在强腔-环境耦合下会出现纠缠振荡。偶极-偶极相互作用越大，纠缠衰减越慢，且产生的纠缠越多。因此偶极-偶极相互作用不仅能非常有效地保护和产生纠缠，还能增强SGI参数对纠缠的调控作用。
引用
@article{arxiv.2212.04650,
title = {Entanglement Dynamics of Two V-type Atoms with Dipole-Dipole Interaction in Dissipative Cavity},
author = {Jia Wang and Dan Long and Qilin Wang and Hong-Mei Zou and Chenya Liu and Qianqian Ma},
journal= {arXiv preprint arXiv:2212.04650},
year = {2023}
}
备注
12 pages, 9 figures