利用变厚度提升高占空比超导纳米线探测器性能
超导电性
2021-01-21 v1 仪器与探测器
摘要
超导纳米线单光子探测器弯曲处的电流拥挤是限制具有大占空比的蛇形探测器性能的主要因素之一。在本文中，我们提出一种降低电流拥挤效应影响的新概念，即所谓变厚度SNSPD，其由厚度不同的两个区域组成。与直纳米线部分相比，弯曲处更大的厚度在局部降低了电流密度，并减轻了由电流拥挤引起的临界电流抑制。这使得变厚度SNSPD相较于具有相同几何与薄膜质量的标准均匀厚度SNSPD具有更高的临界电流、改进的检测效率以及更低的暗计数率。
引用
@article{arxiv.2010.11938,
title = {Enhancing the Performance of Superconducting Nanowire-Based Detectors with High-Filling Factor by Using Variable Thickness},
author = {Reza Baghdadi and Ekkehart Schmidt and Saman Jahani and Ilya Charaev and Michael G. W. Muller and Marco Colangelo and Di Zhu and Konstantin Ilin and Alexej D. Semenov and Zubin Jacob and Michael Siegel and Karl K. Berggren},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.11938},
year = {2021}
}