新型准一维超导体 Nb2PdxSe5 中增强的上临界场
超导电性
2015-06-17 v2
摘要
我们报道了在 Nb2PdxSe5 中发现的 Tc = 5.5 K 的超导电性，其中沿 b 方向存在的一维 (1D) Nb-Se 链相互杂化形成导电的 b-c* 平面。单晶和多晶的磁化率与比热数据均显示了体超导电性的证据。电阻率、霍尔系数和磁阻数据均表明存在一个能标 T* ≈ 50 K，该能标在静水压下系统性地降低并与超导电性的稳定化竞争。结合显示具有 1D 特征费米面的能带计算结果，我们推测能标 T* 与密度波的形成或低维电子结构的稳定化有关。发现单晶的零温上临界场 Hc2(0) 在 a'、b 和 c* 方向分别为 10.5、35 和 22 T。虽然 H // c* 时 Hc2(T) 的线性增加表明多带效应，但发现 H // b 和 c* 时的 Hc2(0) 远大于 BCS Pauli 极限场 1.84 Tc ≈ 9 T。受抑制的 Pauli 顺磁效应指出了与低维电子结构相关的增强自旋轨道散射或重元素（如 Pd）存在的可能性。
引用
@article{arxiv.1310.5975,
title = {Enhanced Upper Critical Fields in a New Quasi-one-dimensional Superconductor Nb2PdxSe5},
author = {Seunghyun Khim and Bumsung Lee and Ki-Young Choi and Byung-Gu Jeon and Dong Hyun Jang and Deepak Patil and Seema Patil and Rokyeon Kim and Eun Sang Choi and Seongsu Lee and Jaejun Yu and Kee Hoon Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.5975},
year = {2015}
}
备注
To appear in New J. Phys