拓扑绝缘体中增强的热电性能与反常塞贝克效应
材料科学
2015-06-19 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
提高热电优值 是材料科学面临的最大挑战之一。拓扑绝缘体（TIs）的最新发现为此前景带来了新的希望。在本工作中，我们从理论上证明了 在 TI 中强烈依赖于尺寸，且可以通过调节尺寸参数将 增强至显著大于 1 的水平。此外，我们表明 TI 中边缘态的寿命强烈依赖于能量，从而导致巨大且反常的塞贝克效应，其符号与霍尔效应相反。这些显著特性使 TIs 成为热电科学与技术中极具前景的材料。
引用
@article{arxiv.1403.3137,
title = {Enhanced Thermoelectric Performance and Anomalous Seebeck Effects in Topological Insulators},
author = {Yong Xu and Zhongxue Gan and Shou-Cheng Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.3137},
year = {2015}
}
备注
Accepted by Phys. Rev. Lett