慢光光子晶体波导中增强的受激拉曼散射
光学
2010-04-12 v2
摘要
我们首次研究了慢光绝缘体上硅（SOI）光子晶体线缺陷波导中受激拉曼散射的增强。通过将Bloch-Floquet形式应用于平面光子晶体中的导模，我们发展了一种将下移斯托克斯信号强度与泵浦强度和模式群速度联系起来的形式。该形式随后被应用于慢光光子晶体波导中增强受激拉曼产生的两种预期方案。结果表明，相对于SOI沟道波导，增强因子最大可达10^4（66,000）。还讨论了双光子吸收、本征散射和无序对慢光拉曼产生的影响，以及其在光泵浦硅放大器和激光器中的应用。
引用
@article{arxiv.physics/0511040,
title = {Enhanced stimulated Raman scattering in slow-light photonic crystal waveguides},
author = {J. F. McMillan and X. Yang and N. C. Panoiu and R. M. Osgood and C. W. Wong},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/0511040},
year = {2010}
}
备注
4 pages, 2 figures, 1 table; Reference added