Fe3O4 纳米球压实体增强的低场磁电阻
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
在单分散的 Fe3O4 磁铁矿纳米球（约 200 nm）经冷压并在 800 C 烧结的样品中，观察到了异常大的低场磁电阻（LFMR），在 300 K 时约为 10%。对输运和磁性测量的详细分析表明，电子传导由晶界处的自旋相关散射或隧穿主导。在低温下，即接近 Verwey 转变（约 115 K）的 140 K 和 100 K 时，LFMR（低于 2 kOe）没有显示出对该转变的任何依赖性，也不随磁化强度的变化而达到饱和区域。另一方面，在 300 K 时，MR 在低于 2 kOe 的磁场下随磁化强度快速饱和。LFMR 的这种温度依赖性很可能归因于传导电子穿过具有自旋无序态的晶界层时的散射或隧穿。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0606565,
title = {Enhanced low field magnetoresistance of Fe3O4 nano-sphere compact},
author = {P. Y. Song and J. F. Wang and C. P. Chen and H. Deng and Y. D. Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0606565},
year = {2009}
}
备注
15 pages with 6 figures included, To J. Appl. Phys