基于 2DHG/磁性绝缘体界面三向 spin-orbit 耦合的增强 Gilbert 阻尼

我们研究了 2DHG/磁性绝缘体 (FI) 界面上 Gilbert 阻尼的增强现象，FI 层的自旋泵送将自旋注入 2DHG，三向 Rashba 自旋轨道耦合 (RSOC) 显著提升了自旋松弛和自旋泵送效率，与 2DEG 系统形成鲜明对比。阻尼的主要贡献来自带间跃迁，表现出类似导电性质，当温度 $T \to 0$ 时即表现为导电行为。结果表明，由于三向 RSOC 持续的影响，阻尼仍大于 2DEG。RSOC 与磁振荡子吸收之间的相互作用拓宽了谱响应，阻尼峰在较高温度下位移更显著。更强的 RSOC 扩大了磁振子相互作用的相空间，从而扩大了阻尼光谱。关键观察到：当费米能级 ($E_f$) 为有限值时，维持自旋不平衡并增强阻尼；而当 $E_f = 0$ 时抑制阻尼，与 2DEG 不同。RSOC 的电场可调性 enables 实时控制自旋松弛和角动量传递，为开发 voltage-controlled spintronic 器件提供了路径。这些发现突显了 2DHG 在通过电场和热效应调控自旋动力学方面的优势潜力。