Q-ball衰变增强的正电子和电子过剩暗物质湮灭率
高能物理 - 唯象学
2009-10-29 v4 宇宙学与河外天体物理
高能物理 - 理论
摘要
我们证明，在Affleck-Dine重子生成模型中，当湮灭截面充分增强以解释PAMELA、ATIC和PPB-BETS观测到的正电子和电子过剩时，Q-ball衰变可以解释暗物质。对于沿d=6平坦方向的Affleck-Dine重子生成，再加热温度约为30 GeV，Q-ball衰变温度在10-100 MeV范围内。如果截面相对于热遗迹截面增强约10^3倍，则由Q-ball衰变产生的LSPs湮灭至观测到的暗物质密度。
引用
@article{arxiv.0904.0969,
title = {Enhanced Dark Matter Annihilation Rate for Positron and Electron Excesses from Q-ball Decay},
author = {John McDonald},
journal= {arXiv preprint arXiv:0904.0969},
year = {2009}
}
备注
4 pages, version to be published in Physical Review Letters