卤化铊中增强的 Born 电荷与铁电近邻性
材料科学
2010-11-24 v1
摘要
对卤化铊的电子结构和晶格动力学计算表明，这些化合物中的 Born 有效电荷是其标称离子电荷的两倍以上。这是 Tl-p 态与卤素-p 态之间跨带隙杂化的结果。巨大的 Born 电荷导致纵向与横向光学声模之间产生巨大分裂，使晶格接近铁电不稳定性。我们的计算确实显示，从 2% 开始的晶格膨胀会引发自发晶格极化。值得注意的是，具有简单立方 CsCl 结构且阳离子与阴离子间电负性差异巨大的表观离子性卤化铊，可以非常接近铁电性。这可能导致对缺陷和杂质的有效屏蔽，否则它们将成为强载流子陷阱，从而可能有助于 TlBr 辐射探测器中相对良好的载流子输运特性。
引用
@article{arxiv.1001.5458,
title = {Enhanced Born Charge and Proximity to Ferroelectricity in Thallium Halides},
author = {M. H. Du and D. J. Singh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1001.5458},
year = {2010}
}
备注
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