在纳米厚度a轴YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-\delta}$薄膜中构筑欠掺杂CuO$_2$纳米带
超导电性
2024-04-29 v3 强关联电子
摘要
在欠掺杂铜基高温超导体中，除超导外，多种局域序和对称性破缺态存在于CuO面内。因此CuO面的受限可在改变各种序之间的层级及其与超导交织方面发挥根本作用。本文报道了跨越相图整个欠掺杂侧的a轴取向YBaCuO薄膜的生长。在这些样品中，CuO面受薄膜厚度限制，有效形成单原胞厚度的纳米带。纳米尺度的单向受限增强了薄膜的面内各向异性。通过X射线衍射和电阻-温度测量，我们发现了在低掺杂下正交-四方转变的抑制，以及b-c面内正常态电阻的极高各向异性，后者与相邻CuO纳米带间的弱耦合相关。这些发现表明我们所生长的样品代表了一种不同于块体的新体系，未来的实验可望阐明CuO面内丰富而神秘的物理学。
引用
@article{arxiv.2207.04541,
title = {Engineering underdoped CuO$_2$ nanoribbons in nm-thick $a$-axis YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-\delta}$ films},
author = {Riccardo Arpaia and Núria Alcalde-Herraiz and Andrea D'Alessio and Evgeny Stepantsov and Eric Wahlberg and Alexei Kalaboukhov and Thilo Bauch and Floriana Lombardi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.04541},
year = {2024}
}