通过连续域束缚态在临界耦合处调控光吸收
光学
2021-03-30 v1 应用物理
摘要
纳米光子学的最新进展源于利用等离激元与介电结构中的高品质共振来调控二维(2D)材料中的光-物质相互作用。在此,我们展示了临界耦合处的辐射控制与基于超表面的连续域束缚态(BIC)物理之间的联系,并发展了一种广义理论,以调控耦合共振超表面中 2D 材料的光吸收。在以石墨烯-介电混合超表面为例的典型情形中,我们通过同时调节由 BIC 支配的硅谐振子不对称参数与石墨烯表面电导率,在吸收效率保持最大的同时将吸收带宽调控超过一个数量级。该工作揭示了 BIC 在临界耦合辐射控制中的广义作用,并为面向高效光电子器件应用(如发光、探测与调制)的 2D 材料光吸收调控提供了有前景的策略。
引用
@article{arxiv.2006.16586,
title = {Engineering light absorption at critical coupling via bound states in the continuum},
author = {Shuyuan Xiao and Xing Wang and Junyi Duan and Chaobiao Zhou and Xiaoying Qu and Tingting Liu and Tianbao Yu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.16586},
year = {2021}
}