强自旋轨道耦合二维电子系统边缘的能谱重构

我们实验证明了在$x = 0.75$的$In_xGa_{1-x}As$二维电子系统中，强自旋轨道相互作用导致在最低两个填充因子$\nu=1$和$\nu=2$处同时发生体态和边缘能谱重构。观察到的重构在这些填充因子处具有不同特征：在$\nu=2$处，能隙在能级交叉点处归零；而在$\nu=1$处，重构通过两个具有不同自旋投影的$\nu=1$量子霍尔相共存进行。分析表明，多体相互作用对$\nu=1$处的重构有强烈影响。