氘核上的赝标量介子电产生

我们提出了氘核上相干介子电产生$e+ d\to e+ d +P^0$（其中$P^0$是赝标量$\pi ^0$或$\eta$-介子）的极化现象的一般分析。阈值处$P^0$-产生的电磁流自旋结构用特定的（非弹性的）阈值电磁形状因子参数化，这些形状因子取决于动量转移平方和产生的强子系统的有效质量。我们给出了反应$e+\vec{d}\to e +d+ P^0$（其中氘核靶是极化的）的结构函数用这些阈值形状因子表示的表达式。在冲量近似框架内建立了$\gamma ^{*}+d\to d+P^0$振幅（其中$\gamma ^*$是虚光子）的自旋和同位旋结构，并给出了氘核和核子上介子电产生之间的关系。我们详细研究了氘核上$\pi^0$电产生反应，无论是在阈值还是在$\Delta$-共振激发区域，使用有效拉格朗日方法计算基本过程$\gamma^*+N\to N+\pi$的振幅。我们特别关注了在相对较大动量转移区域，对$d(e,e\pi^0)d$排他截面的所有标准贡献的分析，这些贡献是动量转移平方$k^2$、产生的强子激发能和π产生角的函数。我们讨论了这些贡献对$\gamma^*\pi\omega$形状因子不同参数化以及$NN-$势选择的敏感性。