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FeSe向列相中的电子结构性质

超导电性 2015-10-30 v1

摘要

我们研究了存在不同可能序时的FeSe电子结构。我们发现只有铁轨道序(FO)和共线反铁磁序(C-AFM)能同时在 Γ\Gamma 和 M 处诱导出劈裂。双共线反铁磁序(B-AFM)和自旋轨道耦合(SOC)在费米能级附近的 Γ\Gamma-M 上具有非常相似的能带结构。近期实验观察到的 Γ\Gamma 处对温度不敏感的劈裂以及 M 处对温度依赖的劈裂可以由 d 波键向列序(dBN)连同 SOC 解释。近期在 FeSe 薄膜中观察到的狄拉克锥及其温度(TT)依赖性也可很好地由带重整化的 dBN 序解释。它们对厚度和钴掺杂的依赖行为是电子掺杂和 Se 高度降低的结果。所有这些表明 FeSe 系统中的向列序是 dBN 序。

关键词

引用

@article{arxiv.1510.04220,
  title  = {Electronic structure properties in the nematic phases of FeSe},
  author = {Yi Liang and Xianxin Wu and Jiangping Hu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1510.04220},
  year   = {2015}
}

备注

6 pages, 6 figures + supplementary materials