钛掺杂Sr4Sc2Fe2As2O6的电子结构
超导电性
2009-04-02 v1
摘要
为了理解新合成的四方（空间群P4/nmm）层状铁砷氧化物Sr4Sc2Fe2As2O6掺杂钛后的电子性质，我们进行了第一性原理FLAPW-GGA计算。计算并讨论了Sr4ScTiFe2As2O6的总态密度和分态密度、低温电子比热和摩尔泡利顺磁磁化率，并与母相Sr4Sc2Fe2As2O6进行了比较。我们的结果表明，将Ti插入铁砷氧化物相Sr4Sc2Fe2As2O6的Sc子晶格中会导致其电子结构发生根本性变化；结果，绝缘的所谓“电荷库”，即钙钛矿基的[Sr4Sc2O6]块层变得导电。这种情况与所有其他Fe-As超导体的已知图像有本质区别，在其他Fe-As超导体中，导电的[Fe2As2]块层被绝缘块层隔开。
引用
@article{arxiv.0904.0117,
title = {Electronic structure of Ti-doped Sr4Sc2Fe2As2O6},
author = {I. R. Shein and A. L. Ivanovskii},
journal= {arXiv preprint arXiv:0904.0117},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 2 figures