关联 kagomé 金属 AV$_3$Sb$_5$（A = K, Rb, Cs）的电子性质：一个展望
强关联电子
2022-02-15 v2
摘要
在发现具有 AVSb（A = K, Rb, Cs）结构的新型 kagomé 原型材料家族之后，研究这些 kagomé 晶格系统中由关联驱动的电子现象引起了高度关注。对这些材料的研究已超越磁输运测量，揭示了狄拉克能带、反常霍尔效应、块体超导（ 0.9 K–2.5 K），以及电荷密度波不稳性的观测等令人兴奋的特征，表明拓扑物理与新量子序相互交织。此外，近期大量不同类型的实验工作进一步检验了这些 kagomé 材料中非常规超导性与奇异电子态。已有理论提出在这些系统中起重要作用的强相互作用，以阐明这些拓扑电荷密度波的本质。在本简要综述中，我们总结这些近期实验发现与理论提议，并将这些材料展望为研究拓扑物理与强关联电子系统之间相互作用的新平台。
引用
@article{arxiv.2109.06809,
title = {Electronic properties of correlated kagom\'e metals AV$_3$Sb$_5$(A = K, Rb, Cs): A perspective},
author = {Thanh Nguyen and Mingda Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.06809},
year = {2022}
}
备注
12 pages, 4 figures, accepted in J. Appl. Phys. (invited perspective article)