双层与多层石墨烯的电子性质
介观与纳米尺度物理
2008-07-03 v2
摘要
我们研究了位点稀释无序对石墨烯多层（特别是双层和无限堆叠）电子性质的影响。该模型的简洁性使得相干势近似易于实现，并可得到一些解析结果。在模型框架内，我们计算了自能、态密度和谱函数。此外，我们还获得了电导率的频率和温度依赖性以及直流电导率。c 轴响应是非传统的，因为在足够低的掺杂下，杂质会增强该响应。我们还研究了偏置石墨烯双层中的杂质问题。
引用
@article{arxiv.0712.3259,
title = {Electronic properties of bilayer and multilayer graphene},
author = {Johan Nilsson and A. H. Castro Neto and F. Guinea and N. M. R. Peres},
journal= {arXiv preprint arXiv:0712.3259},
year = {2008}
}
备注
36 pages, 42 figures, references added