六方氮化硼封装石墨烯场效应晶体管中的电子泊肃叶流
介观与纳米尺度物理
2022-11-02 v1 强关联电子
摘要
石墨烯中电子-电子相互作用足够强以诱导出相关且动量守恒的流动，使得电荷载流子表现得类似经典流体的哈根-泊肃叶流。在当前工作中，我们研究这种粘性电荷流在高迁移率石墨烯 FETs 中的电子特征。在两种互补测量方案中，我们监测石墨烯在不同沟道宽度与不同有效电子温度下的微分电阻。通过结合两种方法，粘性效应的存在在从 178 K 起始并延伸至室温的温度范围内得到验证。我们的实验发现得到石墨烯沟道有限元计算的支持，其也提供了展现增强粘性效应的器件几何设计指南。室温附近粘性效应的存在为功能流体动力学器件开辟了途径，例如如特斯拉阀的几何整流器与基于电子文丘里效应的电荷放大器。
引用
@article{arxiv.2211.00398,
title = {Electronic Poiseuille Flow in Hexagonal Boron Nitride Encapsulated Graphene FETs},
author = {Wenhao Huang and Tathagata Paul and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Mickael L. Perrin and Michel Calame},
journal= {arXiv preprint arXiv:2211.00398},
year = {2022}
}