Te掺杂半导体FeSb$_{2}$中的电子格里菲斯相

我们报道了在掺杂半导体FeSb$_{2}$中出现的电子格里菲斯相（EGP），该相预言用于处于金属-绝缘体转变（MIT）附近、具有随机局域磁矩的无序绝缘体。对Fe(Sb$_{1-x}$Te$_{x}$)$_{2}$单晶的磁、输运和热力学测量显示了无序诱导的非费米液体行为迹象以及强电子关联所预期的威尔逊比。EGP态位于金属边界，介于绝缘态（$x = 0$）与长程但较弱的磁有序（$x \geq 0.075$）之间。