相互作用系统中的电子摩擦
介观与纳米尺度物理
2019-05-03 v1
摘要
我们在单分子纳米腔结的通用模型中，考察了强光-物质相互作用对分子结中电子摩擦的影响。将 Hubbard NEGF 模拟结果与平均场 NEGF 以及广义 Head-Gordon 和 Tully 方法进行比较。结果表明，平均场 NEGF 在强系统内相互作用下定性失效，而广义 Head-Gordon 和 Tully 结果的精度仅限于分子内激发良好分离、浴诱导相干可忽略的情形。数值结果展示了偏压与腔模泵浦对电子摩擦的影响。我们展示了摩擦随偏压和泵浦场强度呈现非单调行为，并指出在单分子结中实现摩擦调控的可能性。
引用
@article{arxiv.1904.06781,
title = {Electronic friction in interacting systems},
author = {Feng Chen and Kuniyuki Miwa and Michael Galperin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.06781},
year = {2019}
}
备注
19 pages, 4 figures