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基于第一性原理的晶态与非晶态(TaNbHfTiZr)C的电子与结构性质

材料科学 2022-12-14 v1 强关联电子

摘要

高熵材料(HEMs)因其力学、化学与电子性质而备受关注。本文中,我们利用密度泛函理论(DFT)分析了碳化物类高熵材料(TaNbHfTiZr)C的晶态与非晶态相。我们发现非晶相的弛豫晶格体积更大,而其体模量低于其晶态对应相。两相均呈金属性,所有过渡金属对费米能级附近的态密度(DOS)贡献相似,其中Ti和Nb给出的态贡献比例最大。我们确认,尽管其结构高度复杂,2x2x2超晶胞已足以通过DFT可靠地模拟所呈现的力学与电子性质。

关键词

引用

@article{arxiv.2208.02601,
  title  = {Electronic and structural properties of crystalline and amorphous (TaNbHfTiZr)C from first principles},
  author = {Bram van der Linden and Tadeus Hogenelst and Roland Bliem and Kateřina Dohnalová and Corentin Morice},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2208.02601},
  year   = {2022}
}

备注

10 pages, 6 figures