LaVO$_3$/SrTiO$_3$上的电畴写入与纳米尺度电势调控
介观与纳米尺度物理
2017-08-02 v1
摘要
某些绝缘钙钛矿氧化物界面形成的高迁移率二维电子气（2DEG）已被认为是超导、铁磁及其相互耦合等奇异物理序的新舞台。人们一直致力于通过表面纳米结构化在此类氧化物异质结构界面实现更奇异的性质。本文报道了利用导电原子力显微镜（AFM）悬臂在LaVO/SrTiO氧化物异质结构上写入和擦除电荷畴。我们以周期性方式图案化这些畴，从而在表面创建人工晶格。通过开尔文探针显微镜、静电力显微镜和电导率成像对这些人工晶格的研究，我们发现这些畴不仅捕获载流子，还在表面形成可控的势能景观，并伴随局部电导率的调制。这种可逆图案化纳米结构的能力为在高迁移率氧化物异质结构中实现超高存储密度器件提供了前所未有的机遇。
引用
@article{arxiv.1609.09271,
title = {Electrical domain writing and nanoscale potential modulation on LaVO$_3$/SrTiO$_3$},
author = {Mohammad Balal and Shilpa Sanwlani and Neha Wadehra and Suvankar Chakraverty and Goutam Sheet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.09271},
year = {2017}
}
备注
10 pages, 5 figures