反沟/超导体异构结构的电气控制跨Andreev反射与自旋-谷效应
介观与纳米尺度物理
2025-09-05 v1 超导电性
摘要
我们研究了在具有偏斜蜂窝结构(如硅烯、德氏烯和斯坦尼烯)的反沟/超导体(AF/S)和反沟/超导体/反沟(AF/S/AF)异构结构通过电场控制的亚隙传输。当受电场和反沟交换场共同作用时，由于自旋轨道耦合，可在蜂窝系统中实现自旋-谷极化的半金属相，从而为产生纯粹的跨Andreev反射(CAR)提供了机会。我们发现，在较宽的电场范围内，可在无本地Andreev反射(AR)和弹性密码 tunneling(EC)的情况下生成纯粹的CAR。通过调整电场，可实现纯粹的CAR与纯粹的EC之间的自旋-谷开关效应。AR过程和CAR过程的特性强烈依赖于自旋-谷极化态。我们的结果表明，该器件可实现对CAR过程和自旋-谷开关的电气测量。
引用
@article{arxiv.2509.04003,
title = {Electrical control of crossed Andreev reflection and spin-valley switch in antiferromagnet/superconductor junctions},
author = {Wei-Tao Lu and Qing-Feng Sun},
journal= {arXiv preprint arXiv:2509.04003},
year = {2025}
}
备注
9 pages, 8 figures