高压合成MgB$_2$中的电场梯度：$^111$Cd TDPAC研究与ab initio计算
材料科学
2009-11-07 v1 超导电性
摘要
我们报道了新型超导体MgB及相关化合物的高压合成。我们制备的MgB样品的超导转变温度为36.6 K。通过X射线衍射确定的MgB晶格参数与我们的ab initio计算结果非常吻合。时间微分扰动角关联（TDPAC）实验表明，Cd探针的四极频率在温度从293 K降至4.2 K时略有增加。基于第一性原理计算得到的B位电场梯度（EFG）与文献报道的MgB B NMR谱获得的EFG相当吻合。该值也与我们在Cd TDPAC测量中得到的EFG非常接近，这表明Cd探针取代了MgB晶格中的硼。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0104560,
title = {Electric field gradients in MgB$_2$ synthesized at high pressure: $^111$Cd TDPAC study and ab initio calculation},
author = {A. V. Tsvyashchenko and L. N. Fomicheva and M. V. Magnitskaya and E. N. Shirani and V. B. Brudanin and D. V. Filossofov and O. I. Kochetov and N. A. Lebedev and A. F. Novgorodov and A. V. Salamatin and N. A. Korolev and A. I. Velichkov and V. V. Timkin and A. P. Menushenkov and A. V. Kuznetsov and V. M. Shabanov and Z. Z. Akselrod},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0104560},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 3 figures