使用层状铁硒Mott绝缘体TlFe1.6Se2的双电层晶体管
材料科学
2014-03-21 v2 强关联电子
超导电性
摘要
A1-xFe2-ySe2 (A = K, Cs, Rb, Tl)是最近发现的铁基超导体，其临界温度(Tc)高达32 K。与其他铁基超导体相比，它们的母相具有独特的性质；例如，它们的晶体结构包含有序的Fe空位，其正常态是反铁磁(AFM)绝缘相，并且具有极高的Néel转变温度。然而，由于它们固有的相分离，向母体AFM绝缘体中进行载流子掺杂的控制一直很困难。在此，我们制备了具有原子级平整表面的Fe空位有序TlFe1.6Se2绝缘外延薄膜，并使用具有离子液体栅极的双电层晶体管(EDLT)结构研究了其静电载流子掺杂。正栅极电压在25 K下产生了三个数量级的电导调制，并进一步诱导和操控了一个相变；即，由静电掺杂产生的离域载流子是相变的起源。据作者所知，这是首次使用Mott绝缘体铁硒沟道的EDLT演示，并为通过传统化学方法难以进行载流子掺杂的铁基层状材料中探索高温超导性开辟了道路。
关键词
引用
@article{arxiv.1402.2767,
title = {Electric double-layer transistor using layered iron selenide Mott insulator TlFe1.6Se2},
author = {Takayoshi Katase and Hidenori Hiramatsu and Toshio Kamiya and Hideo Hosono},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.2767},
year = {2014}
}
备注
PNAS Early Edition