四分之一波 OLEDS 中的效率与受激发射

四分之一波 OLEDS 是微腔器件，可以在低精细度极限下运行，并通过利用干涉效应降低向受激发射转变的起始电流来实现高效率（> 300 lm/W）。在本文中，我们研究了向受激发射的转变，并比较了常规器件和四分之一波器件的动力学和电学特性。我们表明，垂直模式中自发发射的抑制可以导致在 $(\gamma/\text{eV})I \sim N_{se}/\tau_{sp}$ 处出现向受激发射的急剧转变，其中 $N_{se}/\tau_{sp}$ 由光学参数决定，并且我们发现了该转变的一个先前观测到的电学特征，即在低电流密度下激发态粒子数保持固定。然后我们研究了四分之一波构型中损耗机制的作用，并以对实际器件的一些要求作为结论。