密度不平衡对半导体电子-空穴双层中BCS-BEC渡越的影响
超导电性
2007-05-23 v1 其他凝聚态物理
摘要
我们研究了零温度下电子-空穴双层中激子超流性的产生。我们不仅确定了相图中从重叠对的BCS极限到非重叠紧束缚对的BEC极限的渡越，而且通过独立改变电子和空穴密度，我们可以分析主要发生在渡越区域的多种相。由于电子和空穴的有效质量不同，相图相对于过量电子或空穴密度是不对称的。我们提出电子和空穴化学势在其密度交叉时的跳跃作为超流性开始的判据。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0610311,
title = {Effects of density imbalance on the BCS-BEC crossover in semiconductor electron-hole bilayers},
author = {P. Pieri and D. Neilson and G. C. Strinati},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0610311},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 3 figures