逃逸电子产生的有效临界电场
等离子体物理
2015-03-20 v2
摘要
在这篇快报中，我们研究了影响等离子体中逃逸电子产生的有效临界电场的因素。我们给出了动力学方程的数值解，并讨论了对阈值电场的影响。我们表明，产生显著逃逸电子所需的有效电场通常高于先前计算的值，原因有二：（1）初级产生对温度的极强依赖性，（2）同步辐射损失。我们还从逃逸增长到衰减的转变角度讨论了有效临界场。我们的结果与近期实验一致，但表明观测到的有效临界场升高主要归因于逃逸电子动量空间分布的变化，而较少归因于临界场的实际变化。
引用
@article{arxiv.1412.4608,
title = {Effective Critical Electric Field for Runaway-Electron Generation},
author = {Adam Stahl and Eero Hirvijoki and Joan Decker and Ola Embréus and Tünde Fülöp},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.4608},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures