重叠双脉冲辐照硅表面时的干涉效应
应用物理
2022-06-23 v1 光学
摘要
我们研究了强双脉冲下硅的激发过程。我们采用了三温度（电子、空穴与晶格）模型(3TM)以及麦克斯韦方程组。我们通过时域有限差分法求解麦克斯韦方程组。当两个激光脉冲以相长干涉重叠时，表面晶格温度与吸收能量显著升高。另一方面，相消干涉大幅降低了激光激发的效率。平均而言，重叠双脉冲将效率提升至约两倍于分明双脉冲情形。
引用
@article{arxiv.2206.10807,
title = {Effect of the interference in overlapped double-pulse irradiation at the silicon surface},
author = {T. Otobe and P. Venkat},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.10807},
year = {2022}
}
备注
arXiv admin note: text overlap with arXiv:2202.01964