杂质对第二类超导体过热场的影响

我们考虑了非磁性和磁性杂质对第二类超导体中过热场 $H_s$ 的影响。我们求解了 Eilenberger 方程，该方程考虑了 Meissner 屏蔽电流的非线性拆对效应，并计算了具有大 Ginzburg-Landau 参数的单带 s 波超导体在任意温度和杂质浓度下的 $H_s(T)$。在低温下，非磁性杂质抑制了在纯净极限下预言的 $H_s(T)$ 中的弱极大值，取而代之的是在中等纯净极限下 $H_s$ 作为杂质浓度函数出现的一个极大值。研究表明，即使在脏极限下，非磁性杂质对 $H_s$ 的影响也很弱，而磁性杂质则同时抑制 $H_s$ 和临界温度 $T_c$。准粒子态密度 $N(\epsilon)$ 受到杂质散射和电流拆对相互作用的强烈影响。我们证明，纯净超导体在 $H=H_s$ 时处于无能隙状态，但随着非磁性杂质浓度的增加，$H=H_s$ 时 $N(\epsilon)$ 中出现一个准粒子能隙 $\epsilon_g$。当非磁性散射率 $\alpha$ 增加到 $\alpha_c=0.36$ 以上时，$H=H_s$ 处的准粒子能隙 $\epsilon_g(\alpha)$ 增大，在脏极限 $\alpha\gg 1$ 下趋近于 $\epsilon_g\approx 0.32\Delta_0$，其中 $\Delta_0$ 是零场下的超导能隙参数。杂质对 $H_s$ 的影响对于强射频场下的非线性表面电阻和超导电性击穿可能至关重要。