准弹道区域中二维电子和空穴系统的边缘自旋积累
介观与纳米尺度物理
2015-06-18 v1
摘要
我们考虑具有自旋轨道相关分裂的电子（空穴）能谱的二维结构，并计算由于存在通过结构的电荷电流时，自旋轨道相互作用的内禀机制所产生的边缘自旋密度。我们专注于准弹道情形，即平均自由程远小于样品尺寸，但大于由自旋轨道分裂值决定的自旋进动长度。我们表明，无论是否存在体自旋流，边缘自旋密度的主要来源本身就是边界散射。边缘自旋密度的特征取决于体杂质势的光滑度。我们计算了任意光滑度散射势下的边缘自旋密度分布，并讨论了其与二维空穴现有实验的关系。
引用
@article{arxiv.1401.7684,
title = {Edge spin accumulation in 2D electron and hole systems in a quasi-ballistic regime},
author = {Alexander Khaetskii},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.7684},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 1 fig