带有旁路侧层的半导体超晶格中的电子输运动力学

我们研究了一个描述带有旁路侧层的弱耦合半导体超晶格中电子输运的模型。关键参数包括超晶格的横向尺寸、超晶格量子阱与旁路层之间的连通性，以及旁路层的导电特性。对于横向尺寸小且旁路质量高的超晶格，静态电场畴被抑制，预测空间均匀的场构型是稳定的，这一结果可能对诸如基于超晶格的太赫兹振荡器等拟议器件有用。随着超晶格横向尺寸的增加，无论旁路特性如何，均匀场构型都会失去稳定性，转变为静态或动态场畴。较低的旁路质量通常会导致规则和混沌的电流振荡以及场分布中复杂的时空动力学。分离静态和动态行为的分岔被表征，并发现其依赖于旁路特性。