低频或高频浴中量子比特的动力学与量子Zeno效应：超越旋转波近似的非马尔可夫方法

我们使用非马尔可夫方法研究量子比特在模拟其环境的低频或高频浴中的退相干动力学。该方法基于幺正变换，不需要旋转波近似。我们表明，对于低频噪声，浴将量子比特能量向更高能量移动（蓝移），而普通的高频截止欧姆浴将量子比特能量向更低能量移动（红移）。为了保持量子比特的相干性，我们还研究了两种情况下（低频和高频浴）的量子Zeno效应。对于非常频繁的投影测量，低频浴在量子比特上引起量子反Zeno效应。只有在考虑反旋项后，量子Zeno效应才出现在高频截止欧姆浴中。对于高频环境，与低频浴情况相比，衰减率应该更快（无频繁测量时）或更慢（有频繁测量时，在Zeno区域）。我们在此结果的实验实现可以区分浴的类型（低频或高频），并通过调制其环境的主导频率来保护量子比特的相干性。