单层过渡金属硫族化物半导体中量子缺陷声子辅助跃迁的动态调制
材料科学
2020-07-30 v1 介观与纳米尺度物理
计算物理
光学
量子物理
摘要
半导体中通过原子点缺陷实现的量子局域化具有重大的基础与技术意义。单层过渡金属硫族化物半导体中的量子缺陷已被提出作为稳定且可扩展的光学可寻址自旋量子比特。然而，强自旋轨道耦合对其动力学响应（例如在光激发下）的影响一直不明确。在此背景下，我们研究了自旋轨道耦合对单层过渡金属硫族化物、二硫化钼（MoS）与二硫化钨（WS）中单个硫族空位缺陷的电子-声子相互作用的影响。基于第一性原理电子结构理论计算，我们发现自旋轨道相互作用调节了缺陷在光学与电荷态跃迁中电子-声子耦合的大小，从而调制它们各自的效率。该观察结果开辟了一种动态调制材料性质以调谐量子缺陷局域行为的可行方案。
引用
@article{arxiv.2007.14399,
title = {Dynamic modulation of phonon-assisted transitions in quantum defects in monolayer transition-metal dichalcogenide semiconductors},
author = {Chitraleema Chakraborty and Christopher J. Ciccarino and Prineha Narang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.14399},
year = {2020}
}
备注
7 pages, 5 figures and 1 table