双τ子喷注标记与来自多TeV共振峰的增强希格斯玻色子
高能物理 - 唯象学
2011-07-04 v1 高能物理 - 实验
摘要
LHC上新的TeV量级物理过程可以产生具有显著横向洛伦兹增强的希格斯玻色子，使得希格斯玻色子的衰变产物名义上包含在单个喷注中。对于主要衰变为bb的轻希格斯玻色子，先前的研究表明，可以利用喷注子结构技术来识别这些希格斯喷注。在这项工作中，我们探索了利用次主导但非常独特的衰变模式h -> ττ的可能性。为此，我们引入了“双τ子喷注”的概念，即由两个半共线τ子组成的喷注，其中一个或两个τ子发生强子衰变。我们对普通的τ子标记方法进行了简单修改以适应这种构型，并估计在p_T TeV量级下，即使存在堆积效应，标记率约为50%，QCD误标率约为0.1%-0.01%。我们进一步展示了通过使用传统的MET投影技术重建双τ子不变质量的可行性。基于这些工具，我们估算了LHC通过利用轻子和强子Z衰变通道发现衰变为Zh的多TeV Z'玻色子的灵敏度。轻子Z通道由于统计量低而受限，但强子Z通道可能与其他搜索具有竞争力。
引用
@article{arxiv.1011.4523,
title = {Ditau-Jet Tagging and Boosted Higgses from a Multi-TeV Resonance},
author = {Andrey Katz and Minho Son and Brock Tweedie},
journal= {arXiv preprint arXiv:1011.4523},
year = {2011}
}
备注
22 pages, 7 figures