III-V 微谐振腔中的耗散 Kerr 孤子
光学
2020-07-02 v2
摘要
我们通过将温度骤冷至 4~K 与 20~K 之间以抑制热光效应，在 III-V 平台（SiO 上的 AlGaAs）上演示了稳定的微谐振腔 Kerr 孤子频率梳。该冷却将谐振腔的热光系数降低了两个数量级以上，而其室温值比其他微梳平台（如 SiN、SiO 和 AlN）大一个数量级，从而使孤子态可被绝热获取。实现这种相位稳定的孤子运行对于充分利用该平台所展现的超高有效非线性和高光学品质因子的应用至关重要。
引用
@article{arxiv.2003.06438,
title = {Dissipative Kerr Solitons in a III-V Microresonator},
author = {Gregory Moille and Lin Chang and Weiqiang Xie and Ashutosh Rao and Xiyuan Lu and Marcelo Davanco and John E. Bowers and Kartik Srinivasan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.06438},
year = {2020}
}