耦合光子谐振腔中耗散诱导的反铁磁类阻挫

我们提出了一种基于储库工程的反铁磁自旋系统光子量子模拟器。我们考虑一种方案，其中二次驱动的耗散 Kerr 腔通过有损耗的辅助腔间接耦合。我们表明，辅助腔可在腔之间产生有效的耗散与哈密顿反铁磁类耦合。通过求解三角腔构型的主方程，我们证明该系统的非平衡稳态与反铁磁 Ising 模型的基态完全类比，展现出阻挫的关键特征。我们表明，当有效光子跃迁振幅为零时，仅由工程化的非局域耗散即可诱导反铁磁相互作用与阻挫。这一简单方案可推广至任意晶格几何，为在受控量子光学平台上模拟反铁磁性与阻挫提供了完全可控的方法。