强无序超导体中体局域低能模式引起的耗散

强无序超导体（SDSC）广泛用于量子比特、微波谐振器、光子探测器及其他超导量子器件。在基于SDSC的器件中，相干时间受材料低温微波耗散的限制。然而，标准Mattis-Bardeen理论在SDSC中失效，因为其单粒子谱在转变温度$T_c$以下和以上均表现出硬赝能隙$\Delta_P$。我们发展了一种关于此类系统中交流耗散对温度$T$和频率$\omega$依赖关系的新型微观理论。我们在$\hbar\omega,\,T\ll\Delta\leq\Delta_P$的实际相关范围内分析了谐振器品质因子$Q(\omega,T)$，其中$\Delta$是典型的超导序参量，与$\Delta_P$不同。我们表明低频耗散由一种新型体局域集体模式主导，该模式源于超导态的空间非均匀性。因此，$Q(\omega)$随$\omega$急剧下降，并在$T\ll T_c$时随$T$表现出两能级系统式的增长。我们的理论为现有和未来的InO$_x$、TiN、NbN等SDSC薄膜实验提供了微观理解，并对颗粒铝膜具有现象学相关性。结果表明了缓解基于SDSC的量子器件中本征微波损耗的策略。