位错诱导的铁磁薄膜磁化翻转

我们展示了移动边缘位错可通过巴根效应诱导铁磁薄膜的磁化翻转。我们在包含超过 $10^5$ 个格点的六角晶格上，以离散化的朗道-林思赫方程的数值方式研究了磁化动力学。为每个自旋使用耦合晶轴的局部坐标系，并与实验坐标系一起使用。已为说明选择六方密集型钴晶格的参数。磁化从由外部磁场创建的亚稳态翻转，时间尺度为几皮秒。我们的结果表明，由移动位错产生的快速局部弹性扭转是受力受应力固体中磁化动力学的重要机制。