半导体量子点与囚禁离子的直接光子耦合
量子物理
2015-04-01 v1 介观与纳米尺度物理
原子物理
光学
摘要
耦合单个量子系统是构建可扩展量子网络的核心。本文报道了半导体量子点与囚禁离子之间的首次直接光子耦合，并证明量子点产生的单光子可控制地改变 离子的内部状态。我们通过相干光子产生和高精细度光纤光学腔来改善辐射线宽六十倍失配的影响，从而增强单光子与离子之间的耦合。本文通过量子点自旋的 投影与离子内部状态之间的经典关联所呈现的信息传递，为混合光子网络中的量子态转移迈出了有希望的一步。
引用
@article{arxiv.1411.0738,
title = {Direct photonic coupling of a semiconductor quantum dot and a trapped ion},
author = {H. M. Meyer and R. Stockill and M. Steiner and C. Le Gall and C. Matthiesen and E. Clarke and A. Ludwig and J. Reichel and M. Atatüre and M. Köhl},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.0738},
year = {2015}
}