室温下高度自旋极化有机自旋界面的直接观测
材料科学
2013-02-21 v2
摘要
设计完全由自旋电子学驱动的大规模电子电路需要一个在室温及以上高度自旋极化、建造成本低廉、在纳米尺度高效且易于与半导体集成的电流源。然而，尽管跨越多个子领域进行了近二十年的研究，这一关键构建模块仍然缺失。我们在实验和理论上展示了 Co 与酞菁分子之间的界面如何构成一个有希望的候选者。自旋极化直接和逆光电子能谱实验揭示了该界面在室温下具有高度的自旋极化。我们测量了分子氮轨道上的磁矩，这证实了关于由于每个自旋通道中不同的自旋界面形成机制而导致跨越界面高度自旋极化电荷传导的第一性原理理论描述。通过这个例子，我们提出了一套方案，用于构建具有非凡自旋电子学特性且能在远高于室温下持久存在的简单有机 - 无机界面。
引用
@article{arxiv.1209.1267,
title = {Direct observation of a highly spin-polarized organic spinterface at room temperature},
author = {F. Djeghloul and F. Ibrahim and M. Cantoni and M. Bowen and L. Joly and S. Boukari and P. Ohresser and F. Bertran and P. Lefèvre and P. Thakur and F. Scheurer and T. Miyamachi and R. Mattana and P. Seneor and A. Jaafar and C. Rinaldi and S. Javaid and J. Arabski and J. -P. Kappler and W. Wulfhekel and N. B. Brookes and R. Bertacco and A. Taleb-Ibrahimi and M. Alouani and E. Beaurepaire and W. Weber},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.1267},
year = {2013}
}