半导体中波混合导致的直流发生
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1 统计力学
光学
摘要
我们描述了一种在半导体或半导体微结构中由于共轨频率的协调电磁辐射混合可能产生的直流发生的新现象。这种现象本质上是由于电子能带的非抛物性所致，在这种非抛物性更大的系统中作用更强。我们在肯氏模型框架下进行了精确计算，该模型适用于窄带隙半导体；我们还采用紧束缚模型来描述半导体超晶格。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9903092,
title = {Direct current generation due to wave mixing in semiconductors},
author = {Kirill N. Alekseev and Mikhael V. Erementchouk and Feodor V. Kusmartsev},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9903092},
year = {2009}
}
备注
9 pages, RevTEX