通过荧光光子统计区分单条聚(3-己基噻吩)链上的浅与深电荷陷阱态
化学物理
2016-12-12 v1 光学
摘要
单个共轭聚合物链发射的光致发光（PL）闪烁是单分子光谱（SMS）的核心观测现象之一。通过评估动态猝灭可提取重要信息，例如激发能量转移。然而，导致PL猝灭的陷阱态的本质常常模糊不清。我们利用SMS对单条聚(3-己基噻吩)（P3HT）链的光子统计进行了详细研究。光子统计提供了单链上独立发光区域的数量和亮度的度量。这些可观测变量可在闪烁过程中追踪。PL强度降低被证明与以下两者之一相关：(i) 发光位点平均亮度的降低；或 (ii) 发光区域数量的减少。我们将这些现象归因于 (i) 浅电荷陷阱的形成，其可一次性弱影响单链所有发光区域；以及 (ii) 深陷阱，其对单链内小区域有强烈影响。
引用
@article{arxiv.1612.02980,
title = {Differentiation between shallow and deep charge trap states on single poly(3-hexylthiophene) chains through fluorescence photon statistics},
author = {Kristin S. Grussmayer and Florian Steiner and John M. Lupton and Dirk-Peter Herten and Jan Vogelsang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.02980},
year = {2016}
}