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基于双磁性杂质的Josephson二极管设计

超导电性 2025-09-05 v1

摘要

我们在理论上提出了一种基于双磁性杂质的通用超导二极管器件,磁性杂质与Josephson结的连接区域耦合。正负电流通过二极管可产生相对的磁场,导致侧磁性杂质的磁矩翻转至相反方向,从而使两种杂质对正负电流产生不同影响。这导致正负临界电流不等,称为超导二极管效应(SDE)。我们采用非平衡Green函数方法(NEGF)计算方向相关的临界电流。我们确认了SDE的出现,并演示了超导二极管效率对磁矩大小、方向及位置等参数的依赖性。此外,我们系统分析了非各向同性在该系统中的对称关系。我们的方案无需外部磁场、库仑对动量和自旋轨道耦合,具有较高的实际应用价值,为开发非双向电子电路和超导器件的发展提供了新的可能性。

关键词

引用

@article{arxiv.2509.03984,
  title  = {Design of a Josephson diode based on double magnetic impurities},
  author = {Yu-Fei Sun and Yue Mao and Qing-Feng Sun},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2509.03984},
  year   = {2025}
}

备注

11 pages, 6 figures