单分子磁材料的缺陷、隧穿及 EPR 光谱
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
我们理论上检查了单晶中三种不同类型的单分子纳米磁器（SMs）的电子参量共振（EPR）线型图作为谐振频率、能级和温度函数。我们使用密度矩阵方程，并考虑二阶各向异性参数 D 和 g 因子的分布，这些分布由样品中可能的缺陷引起。此外，采用均匀场近似包含了弱的分子间交换和电子偶极相互作用。我们的计算得到的线宽与实验结果良好一致。我们发现三种所考察的单分子磁器的 D 分布是通用的。这为由于晶格缺陷或不完美导致隧穿机制的提议提供了依据。我们还发现，弱的分子间交换和偶极相互作用主要负责三种 SMMs 的温度依赖线型图，而分子间交换相互作用在 Mn 上的作用大于另外两种材料。这一发现与早期实验一致，并表明自旋-自旋松弛过程在磁化隧穿机制中的作用。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0301561,
title = {Defects, Tunneling, and EPR Spectra of Single-Molecule Magnets},
author = {Kyungwha Park and M. A. Novotny and N. S. Dalal and S. Hill and P. A. Rikvold and S. Bhaduri and G. Christou and D. N. Hendrickson},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0301561},
year = {2007}
}
备注
To appear in the proceedings of 2002 MRS fall meeting