修饰位错阻碍声子传播用于热管理
材料科学
2020-03-09 v1
摘要
通过基于Green-Kubo方法的平衡分子动力学模拟，研究了修饰位错对GaN有效热导率的影响。发现在纤锌矿GaN位错核心处由少量In原子形成“纳米线”会影响材料的导热性质，因其导致热导率显著下降，并增强了各向异性特征。将In修饰位错的热导率与原始GaN、InN以及随机与有序InxGa1-xN合金的热导率进行比较，以考察掺杂的影响。结果通过前述体系的应力分布图、成键性质以及声子态密度加以解释。修饰位错工程是一种在纳米尺度调控材料有效热导率及其他输运性质的新途径，可望制造用于热电或各向异性散热器件的引人关注的材料候选。
引用
@article{arxiv.1912.07923,
title = {Decorated dislocations against phonon propagation for thermal management},
author = {Stefanos Giaremis and Joseph Kioseoglou and Mykola Isaiev and Imad Belabbas and Philomela Komninou and Konstantinos Termentzidis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.07923},
year = {2020}
}