利用无序 Ni 嵌入实现 In2Se3 相稳定及其增强热电性能
计算与语言
2025-08-04 v2 人工智能
社会与信息网络
摘要
片层材料因其独特的结构和独特的性质而受到广泛关注。弱的层间键合使片层材料能够实现嵌入，允许精确调控其物理和化学性质。在本工作中，通过电注入驱动的嵌入路线合成了一种三元化合物 NixIn2Se3 (x = 0-0.3)，其中 Ni 原子随机占据 In2Se3 的嵌入层。嵌入的 Ni 原子作为嵌入层中 In2Se3 的锚点，有效抑制了 In2Se3 在高温下的相变。此外，无序 Ni 嵌入通过电子注入显著增强了 In2Se3 的电导率，同时由于层间声子散射，降低了其热导率，从而实现了热电性能的提升。例如，Ni0.3In2Se3 的热电性能系数 (ZT) 在 500 ℃ 时分别比 In2Se3 在平面内提高了 86%，在垂直于平面方向提高了 222%。这些发现不仅提供了一种有效的提升片层热电材料性能的策略，也展示了嵌入化学在拓展片层材料应用范围方面的潜力。
引用
@article{arxiv.2504.16604,
title = {Debunking with Dialogue? Exploring AI-Generated Counterspeech to Challenge Conspiracy Theories},
author = {Mareike Lisker and Christina Gottschalk and Helena Mihaljević},
journal= {arXiv preprint arXiv:2504.16604},
year = {2025}
}
备注
16 pages, Association for Computational Linguistics, Proceedings of the 9th Workshop on Online Abuse and Harms (WOAH 2025)