电子输运中的暗态与阻塞态:全计数统计的Lee-Yang零点分析
介观与纳米尺度物理
2024-09-30 v3
摘要
通过纳米结构的电子输运可以被相干布居俘获所抑制,其中量子相干性导致一个与漏电极解耦的暗态。因此,有限输运依赖于暗态的去相干。另一种减少输运的方案是某个态(称为阻塞态)与漏极的弱耦合。这提出了一个问题:这两种情况是否以及如何在输运特征中被区分。以通过碳纳米管的电子输运为例,我们通过分析全计数统计中的Lee-Yang零点和阶乘累积量,识别出了可以进行这种区分的区域。
引用
@article{arxiv.2403.09840,
title = {Dark versus blocking states in electronic transport: a Lee-Yang zero analysis of full counting statistics},
author = {Johann Zöllner and Philipp Stegmann and Jürgen König and Eric Kleinherbers},
journal= {arXiv preprint arXiv:2403.09840},
year = {2024}
}
备注
11 pages, 9 figures