d0 钙钛矿半导体电子结构
材料科学
2013-05-29 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们使用 k*p 方法研究了立方相和四方相中电子掺杂 d0 钙钛矿半导体的低能有效哈密顿量。该哈密顿量依赖于自旋-轨道相互作用强度、依赖于温度的四方畸变，以及一组由晶体对称性决定其数量的有效质量参数。我们解释了如何从角分辨光电子能谱、拉曼光谱和磁输运测量中提取这些参数，并估算了它们在 SrTiO3 中的值。
引用
@article{arxiv.1010.3090,
title = {d0 Perovskite-Semiconductor Electronic Structure},
author = {R. Bistritzer and G. Khalsa and A. H. MacDonald},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.3090},
year = {2013}
}