隧穿的回旋加速增强
材料科学
2009-11-13 v1
摘要
当在量子线方向或薄膜表面垂直方向施加静电场时，量子线或薄膜中的电子态变为亚稳态。该态通过隧穿穿过所形成的势垒而衰变。额外施加一个垂直于电场的磁场，可以使隧穿衰变率提高多个数量级。这种情况发生在量子线或薄膜中的态具有垂直于磁场的速度时。根据回旋加速效应，速度在势垒下旋转并变得与隧穿方向更加一致。这种机制可称为隧穿的回旋加速增强。
引用
@article{arxiv.0805.2967,
title = {Cyclotron enhancement of tunneling},
author = {M. V. Medvedeva and I. A. Larkin and S. Ujevic and L. N. Shchur and B. I. Ivlev},
journal= {arXiv preprint arXiv:0805.2967},
year = {2009}
}